时间:09-16人气:15作者:翩児妙柏
中国光刻机技术已取得显著进展,目前上海微电子的28纳米光刻机已投入量产,14纳米设备正处于测试阶段。中芯国际使用国产光刻机成功生产了14纳米芯片,良率达到行业标准。长江存储采用国产设备实现了64层NAND闪存的生产,技术节点达15纳米。华为海思的麒麟芯片设计已能适配7纳米工艺,国内产业链正在加速追赶国际先进水平。
光刻机制造涉及超过10万个精密零件,中国企业在光源系统、物镜系统等核心部件上实现突破。华卓精科的光刻机双工件台技术达到国际领先水平,合肥芯碁的直写光刻设备支持5纳米工艺。国家集成电路产业基金已投入超过3000亿元支持研发,预计3年内可实现7纳米光刻机商业化应用,5纳米技术正在实验室验证阶段。
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