什么是掺杂半导体的性质

掺杂半导体通过添加特定杂质改变电学性质。硅中掺入磷提供额外电子，形成n型半导体；掺入硼则产生空穴，形成p型半导体。掺杂浓度控制在百万分之几到百分之几之间，可精确调节导电能力。掺杂后电阻率显著下降，电子或空穴数量增加10万倍以上。掺杂半导体是现代电子器件基础，晶体管、集成电路都依赖其特性。

掺杂半导体具有温度稳定性好的特点。工作温度范围宽，从零下200摄氏度到200摄氏度性能稳定。掺杂后载流子迁移率提高，电子在硅中移动速度可达每秒10万公里。掺杂半导体光敏性强，光照下电导率增加1000倍。掺杂工艺成熟，一块晶圆可同时制造数百万个电子元件，满足现代电子产品微型化需求。