时间:09-16人气:30作者:天性凉薄
LED外延是LED芯片制造的基础环节,通过在衬底材料上生长多层半导体薄膜形成。这一过程使用金属有机化学气相沉积技术,精确控制各层厚度与成分。外延结构包括P型层、发光层和N型层,每层厚度在几纳米到几微米之间。高质量外延片决定了LED的发光效率、波长稳定性和寿命。外延质量缺陷会导致亮度下降、颜色不均等问题,影响最终产品性能。
LED外延技术发展经历了从同质外延、异质外延到量子阱结构的演变。现代LED外延片采用多量子阱结构,通过交替生长不同带隙材料形成。外延生长温度控制在800-1200°C之间,压力保持在10-10000帕斯卡。先进的外延技术如MOCVD结合原子层沉积,可实现原子级精度控制。外延层的晶体质量直接影响LED的抗静电能力和工作稳定性,是LED产业的核心竞争力所在。
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