内存超频电压加多少

内存超频时电压调整需要谨慎，DDR4内存一般默认1.2V，超频后可增加至1.35V左右。高性能内存条如芝游Trident Z系列可承受1.45V，但超过1.5V会缩短寿命。AMD平台内存对电压敏感，建议不超过1.4V；Intel平台可稍高些。实际增加多少取决于内存颗粒质量和散热条件，B-die颗粒通常能承受更高电压。超频前需确认主板支持的最大电压值，并做好散热准备，高温会加速内存老化。

内存超频电压增加幅度应控制在0.1V-0.2V范围内，过高电压会导致系统不稳定。DDR5内存默认电压1.1V，超频后可提升至1.35V，但超过1.4V风险增大。实际操作中，建议以0.05V为步长逐步测试，每次增加后运行压力测试软件如MemTest86，观察系统稳定性。超频后内存发热增加，建议安装散热马甲或增加机箱风扇，温度控制在85度以下较为理想。