衬底电阻率是什么意思

衬底电阻率是半导体材料的基本特性，表示电流通过材料时的阻碍程度。这个数值直接影响到电子器件的性能表现。常见的硅衬底电阻率范围从0.001欧姆·厘米到1000欧姆·厘米不等。低电阻率衬底适合制造高频器件，而高电阻率衬底则用于制造高压功率器件。电阻率测量采用四探针法，通过施加已知电流并测量电压降来确定。衬底电阻率还与掺杂浓度密切相关，掺杂原子越多，电阻率越低。

衬底电阻率选择需考虑具体应用场景。集成电路制造中，CMOS工艺使用8-20欧姆·厘米的电阻率衬底，以平衡噪声性能与器件隔离。射频器件则采用高电阻率衬底，减少信号损耗。太阳能电池产业使用0.01-10欧姆·厘米范围的衬底，优化光电流收集效率。LED制造中，蓝光LED使用4-6欧姆·厘米的碳化硅衬底，红光LED使用0.2-0.5欧姆·厘米的衬底。电阻率均匀性对器件一致性至关重要，工业生产中控制在±5%以内。