内存超频加哪个电压

内存超频需要调整的关键电压包括VCCSA、VCCIO和VDDQ。VCCSA负责系统agent稳定性，超频时一般需提升至1.1-1.25V。VCCIO控制内存控制器和信号完整性，建议设置在1.1-1.3V范围。VDDQ则直接影响内存颗粒，多数情况下加0.05-0.1V即可改善信号质量。DDR4内存超频时，DRAM电压通常设在1.35-1.45V，而DDR5内存可适当提高至1.3-1.45V。主板BIOS中找到相关选项后，每次只调整一个电压，每次增加0.05V进行测试。

实际超频过程中，散热条件决定电压上限。散热不良会导致内存颗粒过热，反而引发系统不稳定。使用风冷时，内存温度最好控制在85度以下。高端散热方案如水冷或主动散热风扇，允许适当提高电压获取更高频率。内存颗粒体质不同，同一电压下有的能稳定运行3600MHz，有的只能达到3200MHz。测试稳定性时，使用MemTest86或Windows内存诊断工具运行至少30分钟，确保无错误发生后再考虑进一步调整电压。