半导体中ni是什么

半导体中的ni指的是镍元素，常用于制造电极和接触层。镍具有良好的导电性和稳定性，在集成电路中作为阻挡层材料，能有效防止铜扩散。芯片制造过程中，镍薄膜沉积技术广泛应用于先进封装，厚度控制在5-20纳米范围内。太阳能电池领域也采用镍作为背面电极，提高光电转换效率。半导体器件的欧姆接触中，镍铝合金化工艺能形成低电阻接触，电阻值可降至10^-8欧姆·平方厘米量级。

半导体工艺中ni还代表氮化铟(InN)材料，是III-V族化合物半导体的重要成员。InN带隙约0.7电子伏特，适合制作长波长光电器件。红外探测器采用InN基材料，探测范围可达1.6微米。高电子迁移率晶体管(HEMT)结构中，InN沟道层能提供超过3000平方厘米/伏·秒的迁移率。InN/GaN异质结在功率放大器中应用广泛，工作频率可达100吉赫兹以上。量子点激光器利用InN材料实现室温下的连续激射。