时间:09-15人气:18作者:歌者与猫
芯片几纳米工艺指的是晶体管栅极的宽度,这个数字越小,芯片性能越强。7纳米工艺意味着晶体管栅极宽度为7纳米,台积电的5纳米工艺比7纳米晶体管密度提高80%,性能提升15%。三星的3纳米工艺采用全新架构,晶体管数量比上一代增加30%,功耗降低50%。英特尔即将推出的20A工艺相当于2纳米级别,晶体管密度比当前提升约20%。
纳米数字不代表实际物理尺寸,而是工艺代际的相对指标。台积电的4纳米工艺实际晶体管栅极长度约12纳米,7纳米工艺约为14纳米。制程越小,芯片设计越复杂,光刻次数从28纳米的20次增加到3纳米的50多次。先进工艺需要极紫外光刻技术,一台设备价值超过1.5亿美元,是传统光刻机的10倍以上。
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