光刻机哪一年发明

光刻机诞生于1959年，美国公司贝尔实验室率先开发出这项技术。早期光刻机采用接触式曝光，将掩模版直接贴在硅片上。1960年代，投影式光刻机问世，提高了生产效率。1970年代，步进式光刻机出现，能够实现更精细的图案转移。1980年代，深紫外光刻技术引入，线宽缩小到1微米以下。1990年代，248纳米光源成为主流，支持0.18微米工艺。2000年后，193纳米浸没式光刻技术推动工艺进入纳米级别。

光刻机发展经历了多次重大突破。1980年，美国GCA公司推出首个商用步进式光刻机。1995年，ASML推出首款浸没式光刻机。2002年，极紫外光刻技术开始研发。2010年，双曝光技术使193纳米光源支持22纳米工艺。2018年，EUV光刻机实现7纳米量产。2020年，高数值孔径EUV系统投入使用，支持3纳米工艺。光刻机技术不断进步，芯片制程从微米级发展到纳米级，推动整个半导体行业发展。