什么是二极管击穿

二极管击穿是当反向电压超过特定值时发生的现象。硅二极管一般在0.7伏正向导通，但反向电压达到5-100伏时会出现击穿。齐纳二极管设计用于可控击穿，电压范围从3.3伏到75伏不等。击穿时电流急剧增加，但齐纳二极管能通过特殊结构限制电流，保持电压稳定。手机充电器、稳压电路都利用这一特性保护电子设备免受电压波动影响。

二极管击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种机制。齐纳击穿发生在强电场下，直接破坏原子间束缚；雪崩击穿则是载流子碰撞连锁反应的结果。功率二极管击穿电压可高达1000伏以上，用于工业变频器。LED灯具中的保护二极管在24伏系统中工作，防止反向电流损坏。汽车电子系统中，二极管击穿特性用于保护ECU免受电源反接损害，确保行车安全。