载流子浓度随温度的变化

载流子浓度随温度升高而显著增加。室温下，硅的载流子浓度约为10^10每立方厘米，加热到300摄氏度时可达10^16每立方厘米。金属导体中，电子受热激发，导电能力增强；半导体材料中，热能打破共价键，产生电子-空穴对。绝缘体在极高温度下也能出现少量载流子，但浓度远低于半导体。温度每升高10摄氏度，半导体载流子浓度大约翻一番。

温度变化直接影响载流子的迁移率。低温下，晶格振动减弱，载流子散射减少，迁移率提高。锗在77开尔文时迁移率是室温时的3倍。高温时，晶格振动加剧，载流子平均自由程缩短，电阻率上升。某些材料如砷化镓在特定温度区间会出现负电阻现象。超导材料在接近绝对零度时，电阻完全消失，载流子可以无阻碍流动。